制造商型号: | SI1403BDL-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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SILICONIX(威世) SI1403BDL-T1-GE3
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SI1403BDL-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SI1403BDL-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 265 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 4.5 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 28 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1403BDL-T1-BE3
单位重量 7.500 mg
库存: 13302
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.178012 | 6.18 |
10 | 5.288378 | 52.88 |
25 | 4.932524 | 123.31 |
100 | 3.662326 | 366.23 |
250 | 3.479456 | 869.86 |
500 | 2.859432 | 1429.72 |
1000 | 2.324168 | 2324.17 |
品牌其他型号
SI1403BDL-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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