制造商型号： | SISH402DN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK 1212- |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SISH402DN-T1-GE3
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SISH402DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SISH402DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.15 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 82 S
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 25 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存： 28
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 31 | 5.417065 | 167.93 |
| 100 | 4.407126 | 440.71 |
| 187 | 4.070431 | 761.17 |
| 375 | 3.703207 | 1388.70 |
| 750 | 3.274778 | 2456.08 |
| 3000 | 3.091166 | 9273.50 |
品牌其他型号
SISH402DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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