制造商型号： | CSD18535KCS |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多CSD18535KCS价格库存等采购信息！ |
TI(德州仪器) CSD18535KCS
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
CSD18535KCS 中文资料
数据手册PDF
CSD18535KCS 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 279 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导（Min） 263 S
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 19 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 16.51 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
CSD18535KCS 引脚图与封装图
CSD18535KCS引脚图
CSD18535KCS封装图
CSD18535KCS封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 17.171283 | 17.17 |
| 50 | 13.62956 | 681.48 |
| 100 | 11.682314 | 1168.23 |
| 500 | 10.384421 | 5192.21 |
| 1000 | 8.89163 | 8891.63 |
品牌其他型号
CSD18535KCS品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购CSD18535KCS、查询CSD18535KCS代理商； CSD18535KCS价格批发咨询客服；这里拥有
CSD18535KCS中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
CSD18535KCS替代型号
、
CSD18535KCS数据手册PDF。