制造商型号: | IRF6706S2TRPBF |
制造商: | INFINEON (英飞凌) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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INFINEON(英飞凌) IRF6706S2TRPBF
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IRF6706S2TRPBF 中文资料
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IRF6706S2TRPBF 规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF6706S2TRPBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
17A (Ta), 63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
3.8mOhm @ 17A, 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 4.5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1810pF @ 13V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.8W (Ta), 26W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DIRECTFET S1
封装/外壳
DirectFET™ Isometric S1
品牌其他型号
IRF6706S2TRPBF品牌厂家:INFINEON
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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