制造商型号: | CSD18512Q5B |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | 40V N CH MOSFET |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD18512Q5B
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CSD18512Q5B 中文资料
数据手册PDF
CSD18512Q5B 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 98 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 136 S
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 31 ns
典型接通延迟时间 7 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 115.700 mg
CSD18512Q5B 引脚图与封装图
CSD18512Q5B引脚图
CSD18512Q5B封装图
CSD18512Q5B封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 5.155839 | 12889.60 |
5000 | 4.961982 | 24809.91 |
12500 | 4.797706 | 59971.32 |
品牌其他型号
CSD18512Q5B品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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