CSD18512Q5B

TI(德州仪器) 分立器件

CSD18512Q5B、N 通道 NexFET 功率 MOSFET

表面贴装型 N 通道 211A（Tc） 139W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）

得捷:
MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON

立创商城:
CSD18512Q5B

德州仪器TI:
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 1.6 mOhm

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

安富利:
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 100A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R

CSD18512Q5B中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.1 W

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 5480pF @20VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 8-VSON-CLIP

外形尺寸

封装 8-VSON-CLIP

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

CSD18512Q5B引脚图与封装图

CSD18512Q5B引脚图

CSD18512Q5B封装图

CSD18512Q5B封装焊盘图

在线购买CSD18512Q5B

型号	制造商	描述	购买
CSD18512Q5B	TI 德州仪器	CSD18512Q5B、N 通道 NexFET 功率 MOSFET	搜索库存

替代型号CSD18512Q5B

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： CSD18512Q5B 品牌： TI 德州仪器封装：	当前型号	CSD18512Q5B、N 通道 NexFET 功率 MOSFET	当前型号
型号： CSD18502Q5B 品牌：德州仪器封装： smd N-Channel 40V 26A	功能相似	40V，N 通道 NexFET 功率 MOSFET	CSD18512Q5B和CSD18502Q5B的区别
型号： CSD18511Q5A 品牌：德州仪器封装：	功能相似	CSD18511Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET	CSD18512Q5B和CSD18511Q5A的区别
型号： CSD18510KTT 品牌：德州仪器封装： TO-263	功能相似	CSD18510KTT 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET	CSD18512Q5B和CSD18510KTT的区别