制造商型号： | CSD13302WT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多CSD13302WT价格库存等采购信息！ |
TI(德州仪器) CSD13302WT
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
CSD13302WT 中文资料
数据手册PDF
CSD13302WT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 17.1 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 7.8 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 10 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 6 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
库存： 815
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.589484 | 11.59 |
| 10 | 9.444197 | 94.44 |
| 100 | 7.348226 | 734.82 |
品牌其他型号
CSD13302WT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购CSD13302WT、查询CSD13302WT代理商； CSD13302WT价格批发咨询客服；这里拥有
CSD13302WT中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
CSD13302WT替代型号
、
CSD13302WT数据手册PDF。