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CSD13302WT

CSD13302WT

TI(德州仪器) 分立器件

12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、WLP 1.0x1.0、17.1mΩ 4-DSBGA -55 to 150

表面贴装型 N 通道 1.6A(Ta) 1.8W(Ta) 4-DSBGA(1x1)


得捷:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-DSBGA


立创商城:
N沟道 12V 1.6A


贸泽:
MOSFET 12 V N-ChanNexFET? Power MOSFET 4-DSBGA


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 1.6A 4-Pin DSBGA T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD13302WT  12V N ch MOSFET


CSD13302WT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 17.1 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.8 W

阈值电压 700 mV

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12 V

连续漏极电流Ids 1.6A

上升时间 7 ns

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 DSBGA-4

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 1 mm

高度 0.62 mm

封装 DSBGA-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CSD13302WT引脚图与封装图
CSD13302WT引脚图

CSD13302WT引脚图

CSD13302WT封装图

CSD13302WT封装图

CSD13302WT封装焊盘图

CSD13302WT封装焊盘图

在线购买CSD13302WT
型号 制造商 描述 购买
CSD13302WT TI 德州仪器 12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、WLP 1.0x1.0、17.1mΩ 4-DSBGA -55 to 150 搜索库存