制造商型号: | 2SK3564(STA4,Q,M) |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) 2SK3564(STA4,Q,M)
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2SK3564(STA4,Q,M) 中文资料
数据手册PDF
2SK3564(STA4,Q,M) 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSIV
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 4.3 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 17 nC
耗散功率 40 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
正向跨导(Min) 0.65 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 125 ns
典型接通延迟时间 60 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 1.700 g
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 12.15583 | 12.16 |
10 | 10.83299 | 108.33 |
100 | 8.448302 | 844.83 |
500 | 6.979163 | 3489.58 |
1000 | 5.509809 | 5509.81 |
品牌其他型号
2SK3564(STA4,Q,M)品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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