FQPF4N90C、STP3NK90ZFP、2SK3564(STA4,Q,M)对比区别

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型号 FQPF4N90C STP3NK90ZFP 2SK3564(STA4,Q,M)

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF4N90C  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS  STP3NK90ZFP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 900 V, 4.8 ohm, 10 V, 3.75 VMOS场效应管 2SK3564(STA4,Q,M) TO-220F

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 3.5 Ω 4.8 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 47 W 25 W 40 W

阈值电压 5 V 3.75 V -

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 4.00 A 3.00 A -

上升时间 50 ns 7 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 960pF @25V(Vds) 590pF @25V(Vds) 700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 47 W 25 W 40 W

下降时间 35 ns 18 ns 35 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 47W (Tc) 25W (Tc) 40W (Tc)

额定电压(DC) 900 V - -

额定电流 4.00 A - -

漏源击穿电压 900 V - -

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

长度 10.16 mm 10.4 mm -

宽度 4.7 mm 4.6 mm -

高度 9.19 mm 16.4 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - NLR -