制造商型号： | DMP3056LSD-13 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMP3056LSD-13
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DMP3056LSD-13 中文资料
数据手册PDF
DMP3056LSD-13 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 6.9 A
漏源电阻 45 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.8 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 14.7 ns
正向跨导（Min） 8 S
上升时间 5.3 ns
晶体管类型 2 P-Channel
典型关闭延迟时间 26.5 ns
典型接通延迟时间 6.4 ns
外形参数
高度 1.5 mm
长度 5.3 mm
宽度 4.1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
库存： 22639
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.115807 | 9.12 |
| 10 | 7.997602 | 79.98 |
| 100 | 6.129469 | 612.95 |
| 500 | 4.845235 | 2422.62 |
| 1000 | 3.876164 | 3876.16 |
品牌其他型号
DMP3056LSD-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 射频晶体管
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