制造商型号: | CSD17556Q5B |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 8-VSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD17556Q5B
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CSD17556Q5B 中文资料
数据手册PDF
CSD17556Q5B 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 28.5 nC
耗散功率 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 197 S
上升时间 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 134.700 mg
库存: 3787
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 29.593973 | 29.59 |
10 | 26.551712 | 265.52 |
100 | 21.338438 | 2133.84 |
500 | 17.531707 | 8765.85 |
1000 | 14.526379 | 14526.38 |
品牌其他型号
CSD17556Q5B品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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