CSD17556Q5B、FDMS3006SDC、CSD17556Q5BT对比区别
型号 CSD17556Q5B FDMS3006SDC CSD17556Q5BT
描述 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17556Q5BPowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、1.8mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-Clip-8 Power-56-8 VSON-CLIP
通道数 1 2 -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 3.1 W 3.3 W 3.1 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 100A 34A 100A
输入电容(Ciss) 7020pF @15V(Vds) 5725pF @15V(Vds) 5400pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W 3.3 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 191W (Tc) 3.3W (Ta), 89W (Tc) 3100 mW
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.0012 Ω - -
阈值电压 1.4 V - -
漏源击穿电压 30 V - -
上升时间 26 ns - 26 ns
下降时间 12 ns - 12 ns
长度 6.1 mm 5.1 mm -
宽度 5.1 mm 5.85 mm -
高度 1.05 mm 1.05 mm -
封装 VSON-Clip-8 Power-56-8 VSON-CLIP
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 正在供货 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -