制造商型号： | CSD23203W |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
提示： | 联系在线客服，获得更多CSD23203W价格库存等采购信息！ |
TI(德州仪器) CSD23203W
图像仅供参考
请参阅产品规格
请参阅产品规格
CSD23203W 中文资料
数据手册PDF
CSD23203W 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 53 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 6.3 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 27 ns
正向跨导（Min） 14 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 0.625 mm
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.400 mg
品牌其他型号
CSD23203W品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购CSD23203W、查询CSD23203W代理商； CSD23203W价格批发咨询客服；这里拥有
CSD23203W中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到
CSD23203W替代型号
、
CSD23203W数据手册PDF。