制造商型号: | CSD19536KTTT |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD19536KTTT
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CSD19536KTTT 中文资料
数据手册PDF
CSD19536KTTT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 272 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 118 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
正向跨导(Min) 329 S
湿度敏感性 Yes
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 4.7 mm
长度 9.25 mm
宽度 10.26 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
CSD19536KTTT 引脚图与封装图
CSD19536KTTT引脚图
CSD19536KTTT封装图
CSD19536KTTT封装焊盘图
CSD19536KTTT 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
50 | 35.929976 | 1796.50 |
100 | 30.797431 | 3079.74 |
250 | 29.086678 | 7271.67 |
500 | 27.375639 | 13687.82 |
1250 | 23.440376 | 29300.47 |
品牌其他型号
CSD19536KTTT品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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