制造商型号： | IRFBE30LPBF |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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SILICONIX(威世) IRFBE30LPBF
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IRFBE30LPBF 中文资料
数据手册PDF
IRFBE30LPBF 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.1 A
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
外形参数
高度 9.65 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2.387 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥42.360944 总价：￥42.36 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 42.360944 | 42.36 |
| 10 | 37.997342 | 379.97 |
| 100 | 30.539549 | 3053.95 |
| 500 | 25.090713 | 12545.36 |
| 1000 | 21.506324 | 21506.32 |
品牌其他型号
IRFBE30LPBF品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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