制造商型号: | TK6A80E,S4X |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 800V TO220SIS |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) TK6A80E,S4X
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TK6A80E,S4X 中文资料
数据手册PDF
TK6A80E,S4X 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 MOSVIII
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 6 A
漏源电阻 1.35 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 55 ns
外形参数
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
TK6A80E,S4X 引脚图与封装图
TK6A80E,S4X引脚图
TK6A80E,S4X封装图
TK6A80E,S4X封装焊盘图
TK6A80E,S4X 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 13.100531 | 13.10 |
50 | 10.527932 | 526.40 |
100 | 8.662187 | 866.22 |
500 | 7.329388 | 3664.69 |
1000 | 6.218793 | 6218.79 |
品牌其他型号
TK6A80E,S4X品牌厂家:Toshiba
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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