制造商型号: | CSD18509Q5B |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD18509Q5B
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CSD18509Q5B 中文资料
数据手册PDF
CSD18509Q5B 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 1.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 195 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 134.400 mg
库存: 7144
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 28.394228 | 28.39 |
10 | 23.595728 | 235.96 |
100 | 18.781109 | 1878.11 |
500 | 15.891593 | 7945.80 |
1000 | 13.483663 | 13483.66 |
品牌其他型号
CSD18509Q5B品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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