极性 N-CH
耗散功率 3.1 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 13900pF @20VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-CLIP
封装 VSON-CLIP
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
CSD18509Q5B引脚图
CSD18509Q5B封装图
CSD18509Q5B封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD18509Q5B | TI 德州仪器 | 40V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD18509Q5B | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD18509Q5B 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON-CLIP N-CH 40V 100A | 当前型号 | 40V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET，CSD18509Q5B | 当前型号 |
| 型号： CSD18509Q5BT 品牌： 德州仪器 封装： VSON N-Channel 40V 100A | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS CSD18509Q5BT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.001 ohm, 10 V, 1.8 V | CSD18509Q5B和CSD18509Q5BT的区别 |
| 型号： CSD18510Q5B 品牌： 德州仪器 封装： | 功能相似 | 40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、0.96mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 | CSD18509Q5B和CSD18510Q5B的区别 |
