制造商型号： | CSD23381F4T |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD23381F4T
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CSD23381F4T 中文资料
数据手册PDF
CSD23381F4T 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.3 A
漏源电阻 970 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 1.14 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导（Min） 2 S
上升时间 3.9 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
外形参数
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
CSD23381F4T 引脚图与封装图
CSD23381F4T引脚图
CSD23381F4T封装图
CSD23381F4T封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 250 | 2.724893 | 681.22 |
| 500 | 2.360783 | 1180.39 |
| 1250 | 2.009157 | 2511.45 |
| 2500 | 1.789391 | 4473.48 |
| 6250 | 1.695191 | 10594.94 |
品牌其他型号
CSD23381F4T品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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