制造商型号: | CSD19538Q3AT |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 100V 15A VSONP |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD19538Q3AT
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CSD19538Q3AT 中文资料
数据手册PDF
CSD19538Q3AT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 61 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.2 V
栅极电荷 4.3 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.300 mg
库存: 4910
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 15.41231 | 15.41 |
10 | 13.770016 | 137.70 |
100 | 10.740612 | 1074.06 |
品牌其他型号
CSD19538Q3AT品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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