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CSD19538Q3AT

CSD19538Q3AT

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD19538Q3AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.2 V 新

表面贴装型 N 通道 100 V 15A(Ta) 2.8W(Ta),23W(Tc) 8-VSONP(3x3.15)


得捷:
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON


立创商城:
CSD19538Q3AT


德州仪器TI:
100-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 61 mOhm


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 15A 8-Pin VSONP EP T/R


安富利:
MOS Power Transistors LV 41V-100V


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 23W; VSONP8 3,3x3,3mm


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 4.9A 8-Pin VSONP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD19538Q3AT  MOSFET, N-CH, 100V, 14A, SON-8 New


CSD19538Q3AT中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.049 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 23 W

阈值电压 3.2 V

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 4.9A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 454pF @50VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta, 23W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSONP-8

外形尺寸

封装 VSONP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD19538Q3AT引脚图与封装图
CSD19538Q3AT引脚图

CSD19538Q3AT引脚图

CSD19538Q3AT封装图

CSD19538Q3AT封装图

CSD19538Q3AT封装焊盘图

CSD19538Q3AT封装焊盘图

在线购买CSD19538Q3AT
型号 制造商 描述 购买
CSD19538Q3AT TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD19538Q3AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.2 V 新 搜索库存
替代型号CSD19538Q3AT
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD19538Q3AT

品牌: TI 德州仪器

封装: SON N-Channel 100V 4.9A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD19538Q3AT  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 100 V, 0.049 ohm, 10 V, 3.2 V 新

当前型号

型号: CSD19538Q3A

品牌: 德州仪器

封装: VSONP-8 N-CH 100V 4.9A

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