制造商型号： | CSD16570Q5BT |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD16570Q5BT
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CSD16570Q5BT 中文资料
数据手册PDF
CSD16570Q5BT 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 680 uOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 192 nC
耗散功率 195 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 72 ns
上升时间 43 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 156 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 24 mg
CSD16570Q5BT 引脚图与封装图
CSD16570Q5BT引脚图
CSD16570Q5BT封装图
CSD16570Q5BT封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 250 | 12.872147 | 3218.04 |
| 500 | 11.178383 | 5589.19 |
| 1250 | 9.48469 | 11855.86 |
| 2500 | 9.010474 | 22526.19 |
| 6250 | 8.671707 | 54198.17 |
品牌其他型号
CSD16570Q5BT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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