制造商型号： | FDG6301N |
制造商： | ON (安森美) |
产品类别： | 射频晶体管 |
商品描述： | MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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ON(安森美) FDG6301N
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FDG6301N 中文资料
数据手册PDF
FDG6301N 规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 220 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 400 pC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.5 ns
正向跨导（Min） 0.2 S
上升时间 4.5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 4 ns
典型接通延迟时间 5 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
零件号别名 FDG6301N_NL
单位重量 28 mg
库存： 74117
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.237507 | 5.24 |
| 10 | 4.451881 | 44.52 |
| 100 | 3.091376 | 309.14 |
| 500 | 2.413493 | 1206.75 |
| 1000 | 1.961821 | 1961.82 |
品牌其他型号
FDG6301N品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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