制造商型号: | CSD25404Q3 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD25404Q3
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CSD25404Q3 中文资料
数据手册PDF
CSD25404Q3 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 104 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 10.8 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 13 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 44 mg
库存: 5203
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 13.774651 | 13.77 |
10 | 11.230684 | 112.31 |
100 | 8.738838 | 873.88 |
500 | 7.406791 | 3703.40 |
1000 | 6.03367 | 6033.67 |
品牌其他型号
CSD25404Q3品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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