通道数 1
漏源极电阻 150 mΩ
耗散功率 2.8 W
阈值电压 650 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2120pF @10VVds
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.8W Ta, 96W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
CSD25404Q3引脚图
CSD25404Q3封装图
CSD25404Q3封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD25404Q3 | TI 德州仪器 | -20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD25404Q3 品牌： TI 德州仪器 封装： VSON-Clip-8 | 当前型号 | -20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 | 当前型号 |
| 型号： CSD25404Q3T 品牌： 德州仪器 封装： VSON-CLIP P-CH 20V 60A | 类似代替 | -20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150 | CSD25404Q3和CSD25404Q3T的区别 |
| 型号： CSD25310Q2 品牌： 德州仪器 封装： WSON P-Channel 20V 20A | 功能相似 | 20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD25310Q2 | CSD25404Q3和CSD25310Q2的区别 |
| 型号： CSD25402Q3A 品牌： 德州仪器 封装： 8-PowerTDFN P-Channel 20V 35A | 功能相似 | TEXAS INSTRUMENTS CSD25402Q3A 晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0077 ohm, -4.5 V, 900 mV | CSD25404Q3和CSD25402Q3A的区别 |
