制造商型号： | CSD17309Q3 |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 30V 60A 8SON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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TI(德州仪器) CSD17309Q3
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CSD17309Q3 中文资料
数据手册PDF
CSD17309Q3 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 5.4 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.6 ns
正向跨导（Min） 67 S
上升时间 9.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13.2 ns
典型接通延迟时间 6.1 ns
规格参数
开发套件 DLPDLCR4710EVM-G2, TPS65982-EVM, TPS65983EVM
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
单位重量 44.500 mg
库存： 7439
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.559611 | 13.56 |
| 10 | 11.146249 | 111.46 |
| 100 | 8.664467 | 866.45 |
| 500 | 7.344334 | 3672.17 |
| 1000 | 5.982775 | 5982.78 |
品牌其他型号
CSD17309Q3品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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