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CSD17309Q3

CSD17309Q3

TI(德州仪器) 分立器件

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON


立创商城:
CSD17309Q3


德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 3 mm x 3 mm, 6.3 mOhm


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17309Q3, 60 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 60 A, 0.0042 ohm, VSON, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SON T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin VSON-CLIP EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD17309Q3  MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 30 V, 4.2 mohm, 8 V, 1.2 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SON


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 60A 8SON


CSD17309Q3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0042 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.8 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 9.9 ns

输入电容Ciss 1440pF @15VVds

额定功率Max 2.8 W

下降时间 3.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1.1 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

CSD17309Q3引脚图与封装图
CSD17309Q3引脚图

CSD17309Q3引脚图

CSD17309Q3封装图

CSD17309Q3封装图

CSD17309Q3封装焊盘图

CSD17309Q3封装焊盘图

在线购买CSD17309Q3
型号 制造商 描述 购买
CSD17309Q3 TI 德州仪器 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号CSD17309Q3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD17309Q3

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-Clip-8 N-Channel 30V 60A

当前型号

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

当前型号

型号: CSD17308Q3

品牌: 德州仪器

封装: SMD N-Channel 30V 50A

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