制造商型号： | SIS892ADN-T1-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SIS892ADN-T1-GE3
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SIS892ADN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIS892ADN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 28 A
漏源电阻 27 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 19.5 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 19 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS892ADN-GE3
单位重量 1 g
SIS892ADN-T1-GE3 同类别型号
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 3.215401 | 9646.20 |
| 6000 | 3.054609 | 18327.65 |
| 15000 | 2.93981 | 44097.15 |
品牌其他型号
SIS892ADN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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