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SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

数据手册.pdf

VISHAY  SIS892ADN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V

* TrenchFET® Power MOSFET * 100 % Rg and UIS Tested * Capable of Operating with 5 V Gate Drive


欧时:
### N 通道 MOSFET,100V 至 150V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


富昌:
SiS892ADN 系列 N沟道 100 V 33 mOhm 52 W 表面贴装 功率 Mosfet - PowerPAK-1212-8


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R


Newark:
# VISHAY  SIS892ADN-T1-GE3  MOSFET Transistor, N Channel, 28 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V


SIS892ADN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 52 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 550pF @50VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 52 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1.12 mm

封装 1212

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

SIS892ADN-T1-GE3引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SIS892ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 VISHAY  SIS892ADN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V 搜索库存
替代型号SIS892ADN-T1-GE3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: SIS892ADN-T1-GE3

品牌: Vishay Semiconductor 威世

封装: PowerPAK N-Channel

当前型号

VISHAY  SIS892ADN-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 100 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.5 V

当前型号

型号: SI7322DN-T1-GE3

品牌: 威世

封装: PowerPAK N-Channel 100V 18A

功能相似

VISHAY  SI7322DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, N通道, 100V, 18A, POWERPAK

SIS892ADN-T1-GE3和SI7322DN-T1-GE3的区别