制造商型号: | CSD17575Q3 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD17575Q3
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CSD17575Q3 中文资料
数据手册PDF
CSD17575Q3 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 182 A
漏源电阻 2.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 108 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 118 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 44.500 mg
CSD17575Q3 引脚图与封装图
CSD17575Q3引脚图
CSD17575Q3封装图
CSD17575Q3封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 3.185341 | 7963.35 |
品牌其他型号
CSD17575Q3品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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