CSD17575Q3、CSD17575Q3T对比区别

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型号 CSD17575Q3 CSD17575Q3T

描述 30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON3x3、3.2mΩ 8-VSON-CLIPTEXAS INSTRUMENTS  CSD17575Q3T  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 1.4 V

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 VSON-Clip-8 VSON-CLIP

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.0019 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 2.8 W 108 W

阈值电压 - 1.4 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 60A 60A

上升时间 10 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 4420pF @15V(Vds) 4420pF @15V(Vds)

下降时间 3 ns 3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 108W (Tc) 2.8W (Ta), 108W (Tc)

封装 VSON-Clip-8 VSON-CLIP

长度 3.3 mm -

宽度 3.3 mm -

高度 1 mm -

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99