制造商型号： | SQS481ENW-T1_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 150V 4.7A 1212-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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SILICONIX(威世) SQS481ENW-T1_GE3
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SQS481ENW-T1_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQS481ENW-T1_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 16 A
漏源电阻 1.095 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 8 nC
耗散功率 62.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.6 ns
上升时间 2.3 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.3 ns
典型接通延迟时间 7.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
库存： 12731
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 10.453999 | 10.45 |
| 10 | 8.523085 | 85.23 |
| 100 | 6.627836 | 662.78 |
| 500 | 5.618348 | 2809.17 |
| 1000 | 4.576762 | 4576.76 |
品牌其他型号
SQS481ENW-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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