制造商型号: | CSD18540Q5B |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD18540Q5B
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CSD18540Q5B 中文资料
数据手册PDF
CSD18540Q5B 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 41 nC
耗散功率 188 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 6 ns
规格参数
开发套件 BOOSTXL-DRV8305EVM, DRV8704EVM
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 120.600 mg
库存: 15367
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 29.407296 | 29.41 |
10 | 24.460392 | 244.60 |
100 | 19.469873 | 1946.99 |
500 | 16.474814 | 8237.41 |
1000 | 13.97856 | 13978.56 |
品牌其他型号
CSD18540Q5B品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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