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CSD18540Q5B

CSD18540Q5B

TI(德州仪器) 分立器件

60V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET

这款 1.8mΩ,60V,SON5x6 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA= 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸的环氧树脂 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。最大 RθJC = 0.8°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

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超低 Qg 和 Qgd
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低热阻
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雪崩额定值
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无铅端子镀层
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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小外形尺寸无引线 SON 5mm x 6mm 塑料封装

## 应用范围

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直流 - 直流转换
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次级侧同步整流器
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隔离式转换器主级侧开关
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电机控制
CSD18540Q5B中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 3.1 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 4230pF @30VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.1W Ta, 195W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 VSON-Clip-8

外形尺寸

宽度 5 mm

封装 VSON-Clip-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

香港进出口证 NLR

CSD18540Q5B引脚图与封装图
CSD18540Q5B引脚图

CSD18540Q5B引脚图

CSD18540Q5B封装图

CSD18540Q5B封装图

CSD18540Q5B封装焊盘图

CSD18540Q5B封装焊盘图

在线购买CSD18540Q5B
型号 制造商 描述 购买
CSD18540Q5B TI 德州仪器 60V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET 搜索库存
替代型号CSD18540Q5B
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD18540Q5B

品牌: TI 德州仪器

封装: VSON-CLIP N-CH 60V 100A

当前型号

60V、N 通道 NexFETTM 功率 MOSFET

当前型号

型号: CSD18540Q5BT

品牌: 德州仪器

封装: VSON N-Channel

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