制造商型号： | CSD18532NQ5B |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD18532NQ5B
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CSD18532NQ5B 中文资料
数据手册PDF
CSD18532NQ5B 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 151 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.4 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.7 ns
正向跨导（Min） 140 S
上升时间 8.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 8.2 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 134 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥38.677385 总价：￥38.68 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 38.677385 | 38.68 |
| 10 | 34.738807 | 347.39 |
| 100 | 27.917136 | 2791.71 |
| 500 | 22.936114 | 11468.06 |
| 1000 | 20.851077 | 20851.08 |
品牌其他型号
CSD18532NQ5B品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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