制造商型号: | CSD18532Q5B |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD18532Q5B
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CSD18532Q5B 中文资料
数据手册PDF
CSD18532Q5B 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 172 A
漏源电阻 3.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 143 S
上升时间 7.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
外形参数
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 120.500 mg
CSD18532Q5B 同类别型号
库存: 6210
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 29.399111 | 29.40 |
10 | 24.458083 | 244.58 |
100 | 19.462706 | 1946.27 |
500 | 16.468444 | 8234.22 |
1000 | 13.973226 | 13973.23 |
品牌其他型号
CSD18532Q5B品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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