制造商型号: | CSD23202W10 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD23202W10
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CSD23202W10 中文资料
数据手册PDF
CSD23202W10 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 92 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导(Min) 5.6 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
库存: 16295
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 6.105752 | 6.11 |
10 | 4.710152 | 47.10 |
100 | 2.824847 | 282.48 |
500 | 2.615256 | 1307.63 |
1000 | 1.778395 | 1778.39 |
品牌其他型号
CSD23202W10品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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