极性 P-CH
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 2.2A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 512pF @6VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 DSBGA-4
封装 DSBGA-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CSD23202W10引脚图
CSD23202W10封装图
CSD23202W10封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| CSD23202W10 | TI 德州仪器 | CSD23202W10 12V P 通道 NexFETTM 功率 MOSFET | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： CSD23202W10 品牌： TI 德州仪器 封装： DSBGA P-CH 12V 2.2A | 当前型号 | CSD23202W10 12V P 通道 NexFETTM 功率 MOSFET | 当前型号 |
| 型号： CSD23202W10T 品牌： 德州仪器 封装： DSBGA-4 P-Channel 12V 2.2A | 类似代替 | TEXAS INSTRUMENTS CSD23202W10T 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mV | CSD23202W10和CSD23202W10T的区别 |
| 型号： CSD23201W10 品牌： 德州仪器 封装： WLCSP P-Channel 12V 1.1A | 功能相似 | P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | CSD23202W10和CSD23201W10的区别 |
