制造商型号： | CSD23202W10 |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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TI(德州仪器) CSD23202W10
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CSD23202W10 中文资料
数据手册PDF
CSD23202W10 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2.2 A
漏源电阻 92 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 3.8 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 21 ns
正向跨导（Min） 5.6 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 58 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 200 mg
CSD23202W10 引脚图与封装图
CSD23202W10引脚图
CSD23202W10封装图
CSD23202W10封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.973874 | 2921.62 |
| 6000 | 0.933396 | 5600.38 |
| 9000 | 0.84005 | 7560.45 |
| 30000 | 0.827586 | 24827.58 |
| 75000 | 0.777795 | 58334.63 |
品牌其他型号
CSD23202W10品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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