制造商型号: | CSD25310Q2T |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | 20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD25310Q2T
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CSD25310Q2T 中文资料
数据手册PDF
CSD25310Q2T 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 19.9 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 4.7 nC
耗散功率 2.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 34 S
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 8 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
250 | 5.572752 | 1393.19 |
500 | 4.924797 | 2462.40 |
1000 | 3.887942 | 3887.94 |
2000 | 3.770125 | 7540.25 |
品牌其他型号
CSD25310Q2T品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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