CSD25310Q2T

TI(德州仪器) 电子元器件分类

-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 2x2、23.9mΩ 6-WSON -55 to 150

表面贴装型 P 通道 20 V 20A（Ta） 2.9W（Ta） 6-WSON（2x2）

得捷:
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON

立创商城:
CSD25310Q2T

德州仪器TI:
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 23.9 mOhm

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R

Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 20A 6-Pin WSON EP T/R

CSD25310Q2T中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.9 W

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 504pF @10VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2900 mW

封装参数

引脚数 6

封装 SON

外形尺寸

封装 SON

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

CSD25310Q2T引脚图与封装图

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CSD25310Q2T	TI 德州仪器	-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 2x2、23.9mΩ 6-WSON -55 to 150	搜索库存