制造商型号： | STQ1NK80ZR-AP |
制造商： | ST (意法半导体) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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ST(意法半导体) STQ1NK80ZR-AP
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STQ1NK80ZR-AP 中文资料
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STQ1NK80ZR-AP 规格参数
属性
参数值
制造商型号
STQ1NK80ZR-AP
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 0.3A TO-92
包装
Tape & Box (TB)
Alternate Packaging
系列
SuperMESH™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
300mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
16Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
7.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
160pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3.437316 | 3.44 |
| 10 | 2.917475 | 29.17 |
| 30 | 2.694686 | 80.84 |
| 100 | 2.471897 | 247.19 |
| 500 | 2.323371 | 1161.69 |
品牌其他型号
STQ1NK80ZR-AP品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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