制造商型号: | CSD25402Q3A |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V 76A 8SON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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TI(德州仪器) CSD25402Q3A
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CSD25402Q3A 中文资料
数据手册PDF
CSD25402Q3A 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 76 A
漏源电阻 8.9 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 P-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns
外形参数
高度 0.9 mm
长度 3.15 mm
宽度 3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 27.800 mg
CSD25402Q3A 引脚图与封装图
CSD25402Q3A引脚图
CSD25402Q3A封装图
CSD25402Q3A封装焊盘图
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
2500 | 2.624832 | 6562.08 |
5000 | 2.499865 | 12499.32 |
12500 | 2.384487 | 29806.09 |
25000 | 2.379945 | 59498.63 |
品牌其他型号
CSD25402Q3A品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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