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CSD25402Q3A、CSD25404Q3、CSD25401Q3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD25402Q3A CSD25404Q3 CSD25401Q3

描述 TEXAS INSTRUMENTS  CSD25402Q3A  晶体管, MOSFET, P沟道, -35 A, -20 V, 0.0077 ohm, -4.5 V, 900 mV-20V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON 3x3、6.5mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 VSON-8 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8

通道数 - 1 1

漏源极电阻 0.0077 Ω 150 mΩ 0.0088 Ω

耗散功率 69 W 2.8 W 2.8 W

阈值电压 900 mV 650 mV 850 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 - 20 V 20 V

上升时间 7 ns 8 ns 3.9 ns

输入电容(Ciss) 1790pF @10V(Vds) 2120pF @10V(Vds) 1400pF @10V(Vds)

下降时间 12 ns 13 ns 12.6 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.8W (Ta), 69W (Tc) 2.8W (Ta), 96W (Tc) 2.8W (Ta)

针脚数 8 - 8

极性 P-Channel - P-Channel

连续漏极电流(Ids) 35A - 60.0 A

额定功率(Max) 2.8 W - 2.8 W

长度 - 3.3 mm 3.4 mm

宽度 - 3.3 mm 3.4 mm

高度 - 1 mm 1.1 mm

封装 VSON-8 VSON-Clip-8 VSON-Clip-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 停产

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15