制造商型号： | CSD23285F5 |
制造商： | TI (德州仪器) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET P-CH 12V |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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TI(德州仪器) CSD23285F5
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CSD23285F5 中文资料
数据手册PDF
CSD23285F5 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 PicoStar
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 3.3 A
漏源电阻 80 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 4.2 nC
耗散功率 1.4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导（Min） 8.9 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 0.35 mm
长度 1.53 mm
宽度 0.77 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.700 mg
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.983748 | 2951.24 |
| 6000 | 0.942902 | 5657.41 |
| 9000 | 0.848547 | 7636.92 |
| 30000 | 0.836029 | 25080.87 |
| 75000 | 0.78574 | 58930.50 |
品牌其他型号
CSD23285F5品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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