CSD23382F4、CSD23382F4T、CSD23285F5对比区别

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型号 CSD23382F4 CSD23382F4T CSD23285F5

描述 -12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0TEXAS INSTRUMENTS  CSD23382F4T  晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -12 V, 0.066 ohm, -4.5 V, -800 mVCSD23285F5 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.066 Ω -

极性 P-CH P-Channel P-CH

耗散功率 0.5 W 500 mW 1.4 W

阈值电压 - 800 mV -

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V

连续漏极电流(Ids) 3.5A 3.5A 5.4A

上升时间 25 ns 25 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 235pF @6V(Vds) 235pF @6V(Vds) 483pF @6V(Vds)

下降时间 41 ns 41 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 1400 mW

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Active 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99