制造商型号: | CSD13201W10 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD13201W10
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CSD13201W10 中文资料
数据手册PDF
CSD13201W10 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 1.6 A
漏源电阻 34 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV
栅极电荷 2.3 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9.7 ns
正向跨导(Min) 23 S
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.4 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1 mm
宽度 1 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1.100 mg
库存: 49612
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.778385 | 5.78 |
10 | 4.668935 | 46.69 |
100 | 3.176957 | 317.70 |
500 | 2.382775 | 1191.39 |
1000 | 1.787138 | 1787.14 |
品牌其他型号
CSD13201W10品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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