CSD13201W10

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

此器件设计用于在 超低高度并具有出色散热特性的 尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通 电阻和栅极电荷。

在 1 in22 盎司纯铜 Cu 2 oz. 且厚度为 0.060" 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上，RθJA=105°C/W （典型值）。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%

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超低栅极电荷 Qg 和栅漏电荷 Qgd

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小型封装尺寸 1mm x 1mm

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低高度（高度为 0.62mm）

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无铅

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符合 RoHS 标准

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无卤素

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栅 - 源电压钳位