制造商型号: | CSD16301Q2 |
制造商: | TI (德州仪器) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 25V 6-SON |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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TI(德州仪器) CSD16301Q2
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CSD16301Q2 中文资料
数据手册PDF
CSD16301Q2 规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 24 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 2 nC
耗散功率 15 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 4.1 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.700 mg
库存: 31033
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.686646 | 3.69 |
10 | 2.678579 | 26.79 |
30 | 2.491366 | 74.74 |
100 | 2.304154 | 230.42 |
500 | 2.217748 | 1108.87 |
品牌其他型号
CSD16301Q2品牌厂家:TI
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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